25 Results for : brückentreiber

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    IR 2102S SMD - Brückentreiber, high and low side, SO-8
    Die IR2101S/IR2102S sind Hochspannungs-, High-Speed-Leistungs-MOSFET-und IGBT-Treiber mit unabhängigen High and Low Side verwiesenen Ausgangskanälen.• Floating-Kanal für Bootstrap-Betrieb ausgelegt• Gate-Treiber liefern Bereich von 10 bis 20V• Abschaltung bei Unterspannung• 3,3 V, 5V, 15V und Logik-Eingang kompatibel• Abgestimmte Signallaufzeit für beide Kanäle• Ausgänge in Phase mit den Eingängen (IR2101) oder aus Phase bei den Eingängen (IR2102)
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    IR 2106S SMD - Brückentreiber, high and low side, SO-8
    Die IR2106S sind Hochspannungs-, High-Speed-Leistungs-MOSFET-und IGBT-Treiber mit unabhängigen High and Low Side verwiesenen Ausgangskanälen.• Floating-Kanal für Bootstrap-Betrieb ausgelegt• Gate-Treiber liefern Bereich von 10 bis 20V• Abschaltung bei Unterspannung für beide Kanäle• 3,3 V, 5V und 15V-Eingang Logik kompatibel• Abgestimmte Signallaufzeit für beide Kanäle• bessere Störsicherheit• Ausgänge in Phase mit den Eingängen
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    IR 2110 - Brückentreiber, high and low side, 10 - 20 Vout, 2 A, DIL-14
    IR2110, High und Low Side Treiber BeschreibungDie IR2110/IR2113 sind Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber mit unabhängigen high und low side referenzierten Ausgangskanälen. Proprietäre HVIC- und Latch-immune CMOS-Technologien ermöglichen einen robusten monolithischen Aufbau. Die Logikeingänge sind kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgängen, bis hinunter zu 3,3 V Logik. Die Ausgangstreiber verfügen über eine Pufferstufe mit hohem Impulsstrom, die für minimale Treiber-Querleitung ausgelegt ist. Die Ausbreitungsverzögerungen sind angepasst, um den Einsatz in Hochfrequenzanwendungen zu vereinfachen. Der erdfreie Kanal kann zur Ansteuerung eines N-Kanal-Leistungs-MOSFETs oder IGBTs in der High-Side-Konfiguration verwendet werden, die mit bis zu 500 oder 600 Volt arbeitet.Merkmale• Floating-Kanal ausgelegt für Bootstrap-Betrieb - Voller Betrieb bis +500V oder +600V- Tolerant gegenüber negativer transienter Spannung - dV/dt-unempfindlich• Gate-Treiber-Versorgungsbereich von 10 bis 20 V• Unterspannungs-Lockout für beide Kanäle• 3,3-V-Logik-kompatibel- Separater Logikversorgungsbereich von 3,3V bis 20V- Logik- und Versorgungsmasse ±5V Offset• CMOS Schmitt-getriggerte Eingänge mit Pull-Down• Zyklusweise flankengetriggerte Shutdown-Logik• Angepasste Laufzeiten für beide Kanäle• Ausgänge in Phase mit den Eingängen
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    L 6205 N - Dualer Voll-Brückentreiber, 8 ... 52 V, 2,8 A, 100 kHz, DIL-20
    DMOS DUAL-VOLLBRÜCKENTREIBERBESCHREIBUNGDie L6205 ist eine DMOS-Doppelvollbrücke, die für Motorsteuerungsanwendungen entwickelt wurde. Sie ist in MultiPower-BCD-Technologie realisiert, die isolierte DMOS-Leistungstransistoren mit CMOS- und bipolaren Schaltungen auf demselben Chip kombiniert. Die in PowerDIP20 (16+2+2+2)-, PowerSO20- und SO20(16+2+2+2)-Gehäusen erhältliche L6205 bietet einen nicht dissipativen Schutz der High-Side-PowerMOSFETs und eine thermische Abschaltung.Merkmale:• BETRIEBS-VERSORGUNGSSPANNUNG VON 8 BIS 52 V• 5,6A AUSGANGSSPITZENSTROM (2,8A DC)• RDS(ON) 0,3 Ohm TYP. WERT @ Tj = 25 °C• BETRIEBSFREQUENZ bis zu 100 kHz• NICHT DISSIPATIVER ÜBERSTROMSCHUTZ• PARALLELBETRIEB• SCHUTZ VOR KREUZLEITUNG• THERMISCHE ABSCHALTUNG• UNTERSPANNUNGSABSCHALTUNG• INTEGRIERTE SCHNELLE FREILAUFDIODENTYPISCHE ANWENDUNGEN• BIPOLARER SCHRITTMOTOR• DOPPEL- ODER VIERFACH-GLEICHSTROMMOTOR
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    IR 2110S SMD - Brückentreiber, high and low side, 10 - 20 Vout, 2 A, SOL-16
    IR2110, High und Low Side Treiber BeschreibungDie IR2110/IR2113 sind Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber mit unabhängigen high und low side referenzierten Ausgangskanälen. Proprietäre HVIC- und Latch-immune CMOS-Technologien ermöglichen einen robusten monolithischen Aufbau. Die Logikeingänge sind kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgängen, bis hinunter zu 3,3 V Logik. Die Ausgangstreiber verfügen über eine Pufferstufe mit hohem Impulsstrom, die für minimale Treiber-Querleitung ausgelegt ist. Die Ausbreitungsverzögerungen sind angepasst, um den Einsatz in Hochfrequenzanwendungen zu vereinfachen. Der erdfreie Kanal kann zur Ansteuerung eines N-Kanal-Leistungs-MOSFETs oder IGBTs in der High-Side-Konfiguration verwendet werden, die mit bis zu 500 oder 600 Volt arbeitet.Merkmale• Floating-Kanal ausgelegt für Bootstrap-Betrieb - Voller Betrieb bis +500V oder +600V- Tolerant gegenüber negativer transienter Spannung - dV/dt-unempfindlich• Gate-Treiber-Versorgungsbereich von 10 bis 20 V• Unterspannungs-Lockout für beide Kanäle• 3,3-V-Logik-kompatibel- Separater Logikversorgungsbereich von 3,3V bis 20V- Logik- und Versorgungsmasse ±5V Offset• CMOS Schmitt-getriggerte Eingänge mit Pull-Down• Zyklusweise flankengetriggerte Shutdown-Logik• Angepasste Laufzeiten für beide Kanäle• Ausgänge in Phase mit den Eingängen
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