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EPOS - SENNHEISER SC 632 Headset monoaural ED low impedance (504558)
Kurzinfo: Sennheiser SC 632 - Century - Headset - über dem Ohr Gruppe Headsets & Mikrofone Hersteller Sennheiser Hersteller Art. Nr. 504558 EAN/UPC 4044155083491 Produktbeschreibung: Sennheiser SC 632 - Headset Produkttyp Headset - verkabelt Empfohlene Verwendung Portable electronics, phone - Kommunikation Kopfhörer-Formfaktor Über dem Ohr Anschlusstechnik Verkabelt Soundmodus Mono Mikrophontyp Mikrofonbaum Betriebsart des Mikrophons Mono Ausführliche Details Allgemein Produkttyp Headset Serien Century Empfohlene Verwendung Portable electronics, phone - Kommunikation Kopfhörer Kopfhörer-Formfaktor Über dem Ohr Anschlusstechnik Verkabelt Soundmodus Mono Magnetmaterial Neodym Mikrophontyp Typ Mikrofonbaum Betriebsart des Mikrophons Mono Verbindungen Anschlusstyp Headset Verschiedenes Enthaltene Kabel Headset-Kabel - integriert- Shop: JACOB Computer
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RG58 reverse SMA connector female. Impedance: 50 ż R-sma female rg58 (WK1060)
Hauptmerkmale Funktionen Stecker SMA F Produktfarbe Gold- Shop: JACOB Computer
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RG174 reverse SMA chassispart female. Impedance: 50 ż R-sma female rg174 (WK1070)
Hauptmerkmale Funktionen Stecker SMA F Produktfarbe Gold- Shop: JACOB Computer
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RG58 reverse SMA connector male. Impedance: 50 ż R-sma male rg58 (WK1040)
Hauptmerkmale Funktionen Stecker SMA M- Shop: JACOB Computer
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BNC RG58 HQ chassispart female 50 Ohm. Impedance: 50 ż Bnc chassis isolated (Q167)
Hauptmerkmale Technische Details Anschluss 1 RG 58 Geschlecht Weiblich Impedanz 50 Ohm Verpackungsinhalt Menge pro Packung 1 Stück(e)- Shop: JACOB Computer
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Liu:A High-precision Multi-frequency El
Erscheinungsdatum: 27.10.2013, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: A High-precision Multi-frequency Electrical Impedance Tomograph, Titelzusatz: ACT 4: Rensselaer''s 4th Generation Electrical Impedance Tomograph, Autor: Liu, Ning, Verlag: VDM Verlag Dr. Müller e.K., Sprache: Deutsch, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 172, Informationen: Paperback, Gewicht: 272 gr, Verkäufer: averdo- Shop: averdo
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Rist:Method and device for measurement
Erscheinungsdatum: 07/2010, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Method and device for measurement of impedance of lithium-ion cells, Titelzusatz: Design proposal for hand-held electrochemical impedance spectroscopy measurement device, Autor: Rist, Marek, Verlag: LAP Lambert Acad. Publ., Sprache: Englisch, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 96, Informationen: Paperback, Gewicht: 161 gr, Verkäufer: averdo- Shop: averdo
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Wentronic Goobay Antennen Anschlusskabel, 100% geschirmt, Ferrite, Weiß, 10 m - IEC/Koax-Stecker IEC/Koax-Buchse (27471)
coaxial plug>coaxial jack double shielded coaxial cable (Al foil screening + net) impedance 75 ohm . with 2 ferritfilters especially for 100 Hz TV . screening immunity : >85 dB plug/jack 100% shielded with screen shell Hauptmerkmale Technische Details Widerstand 75 Ohm Kabellänge 10m Kabeltyp RG-59 Kabeltyp Männlich/weiblich Anzahl der enthaltenen Produkte 1 Stück Magnetisch abgeschirmt Ja Produktfarbe Weiß Anschlüsse und Schnittstellen Anschluss 1 IEC male Anschluss 2 IEC female- Shop: JACOB Computer
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Parmar:A Study of Cardiac Parameters Us
Erscheinungsdatum: 24.06.2013, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: A Study of Cardiac Parameters Using Impedance Plethysmography, Titelzusatz: Impedance Cardiography, Autor: Parmar, Chintansinh // Gokhale, Pradnya // Mehta, Hemant, Verlag: LAP Lambert Academic Publishing, Sprache: Englisch, Schlagworte: Palliativmedizin // Mikrobiologie und Virologie // Stammzellen // Geriatrie // Notfallmedizin // Nuklearmedizin // Bildgebende Verfahren // Umweltmedizin // Sportmedizin // Sportverletzungen // Therapie und Therapeutika, Rubrik: Medizin // Allgemeines, Lexika, Seiten: 124, Informationen: Paperback, Gewicht: 201 gr, Verkäufer: averdo- Shop: averdo
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DN2535N3-G - MOSFET, N-CH, TO-92, 350 V, 0,15 A, 1 W
DN2535 is a low threshold depletion mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.• High input impedance• Low input capacitance• Fast switching speeds• Low on-resistance• Free from secondary breakdown• Low input and output leakage Technical Data: • BVdsx: 350 V• RDS: 25 Ohm• Ugs: -1,5 ... -3,5 V• Ic: 150 mA- Shop: reichelt elektronik
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