• 

  IS61C5128AL-10TL - High-Speed SRAM, 4 Mb (512 K x 8), 5 V, 10ns, TSOP-44

  High-Speed CMOS Static RAM 5V 512kx8 10ns TSOP-44Beschreibung:Die ISSI IS61C5128AL/AS und IS64C5128AL/AS sind statische Hochgeschwindigkeits-RAMs mit 4.194.304 Bit, die als 524.288 Worte mal 8 Bit organisiert sind. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken ermöglicht Zugriffszeiten von bis zu 12 ns bei geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB). Die IS61C5128AL/AS sind in den JEDEC-Standard-Gehäusen 36-Pin SOJ (400-mil), 32-Pin sTSOP-I, 32-Pin SOP, 44-Pin TSOP-II und 32-Pin TSOP-II untergebracht.Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns• Niedrige Wirkleistung: 150 mW (typisch)• Geringe Standby-Leistung: 10 mW (typisch) CMOS-Standby• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• TTL-kompatible Ein- und Ausgänge• Einzelne 5V (±10%) Stromversorgung• Erhältlich in einem 36-poligen SOJ (400-mil)-Gehäuse und einem 44-poligen TSOP (Typ II)• Kommerzielle, industrielle und Automobil-Temperaturbereiche verfügbar• Bleifrei verfügbar

  • Shop: reichelt elektronik
  • Price: 5.30 EUR excl. shipping
• 

  IS61C6416AL-12TL - High-Speed SRAM, 1 Mb (64 K x 16), 5 V, 12ns, TSOP-44

  High-Speed CMOS Static RAM 5V 64kx16 12ns TSOP44(II)Beschreibung:Die ISSI IS61C6416AL, IS62C6416AL, IS64C6416AL und IS65C6416AL sind statische Hochgeschwindigkeits-RAMs mit 1.048.576 Bit, die als 65.536 Wörter mit 16 Bit organisiert sind. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieses äußerst zuverlässige Verfahren in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken ermöglicht Zugriffszeiten von bis zu 12 ns bei geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip-Enable- und Output-Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Die aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB). Die IS61C6416AL, IS62C6416AL, IS64C6416AL und IS65C6416AL sind in den JEDEC-Standards 44-poliger 400-mil SOJ und 44-poliger TSOP (Typ II) verpackt.Merkmale:• IS61C6416AL und IS64C6416AL - Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 12 ns, 15ns - Niedrige Wirkleistung: 175 mW (typisch) - Niedrige Standby-Leistung: 1 mW (typisch) CMOS-Standby• IS62C6416AL und IS65C6416AL - Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 35 ns, 45ns - Niedrige Wirkleistung: 50 mW (typisch) - Geringe Standby-Leistung: 100 µW (typisch) CMOS-Standby• TTL-kompatible Schnittstellenpegel• Einzelne 5V ± 10% Stromversorgung• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• Verfügbar im 44-poligen SOJ- und TSOP (Typ II)• Kommerzielle, industrielle und Automobil-Temperatur verfügbare Bereiche• Bleifrei verfügbar

  • Shop: reichelt elektronik
  • Price: 3.85 EUR excl. shipping
• 

  IS61LV5128AL10KL - SRAM, 4 Mb (512 K x 8), 3,135 ... 3,6 V, SO-36J

  512Kx8 High-Speed CMOS Static RAM, SRAM, 3,3V 10ns SOJ36The ISSI IS61LV5128AL is a very High-Speed, Low Power, 524,288-word by 8-bit CMOS Static RAM. The IS61LV5128AL is fabricated using ISSI's high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields higher performance and Low Power consumption devices. When CE is HIGH (deselected), the device assumes a standby mode at which the power dissipation can be reduced down to 250 µW (typical) with CMOS input levels. The IS61LV5128AL operates from a single 3.3V power supply and all inputs are TTL-compatible. The IS61LV5128AL is available in 36-pin 400-mil SOJ, 36- pin mini BGA, and 44-pin TSOP (Type II) packages

  • Shop: reichelt elektronik
  • Price: 7.08 EUR excl. shipping
• 

  IS61WV5128BLL-10 - High-Speed SRAM, 4 Mb (512 K x 8), 3,3 V, 10ns, TSOP-44

  Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 512kx8 10ns TSOP44(II) Beschreibung:Die ISSI IS61WV5128Bxx sind sehr schnelle statische 8-Bit-CMOS-RAMs mit 524.288 Wörtern und niedrigem Stromverbrauch. Die IS61/64WV5128Bxx werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken führt zu einer höheren Leistung und Geräten mit niedrigem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Die IS61/64WV5128Bxx arbeiten mit einer einzigen Stromversorgung. Die IS61/64WV5128BLL sind in 36-poligen 400-mil SOJ- und 44-poligen TSOP-Gehäusen (Typ II) erhältlich. Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns• Niedrige Wirkleistung: 85 mW (typisch)• Niedrige Standby-Leistung: 7 mW (typisch) CMOS-Standby• Einzel-Stromversorgung Vdd 2,4V bis 3,6V• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• Drei Zustandsausgänge• Temperaturunterstützung für Industrie und Automobil• Bleifrei verfügbar

  • Shop: reichelt elektronik
  • Price: 6.55 EUR excl. shipping
• 

  CY7C1021DV33-10Z - High-Speed SRAM, 1 Mb (64 K x 16), 3,3 V, 10ns, TSOP-44

  Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 64kx16 10ns TSOP44(II)Funktionale BeschreibungDer CY7C1021DV33 ist ein hochleistungsfähiger statischer CMOS-RAM, der als 65.536 Wörter mit 16 Bit organisiert ist. Dieser Baustein verfügt über eine automatische Abschaltfunktion, die bei Abwahl den Stromverbrauch erheblich reduziert. Das Schreiben in den Baustein erfolgt, indem die Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) auf LOW gesetzt werden. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, dann werden Daten von I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) an die auf den Adresspins (A0 bis A15) angegebene Stelle geschrieben. Wenn Byte High Enable (BHE) LOW ist, dann werden Daten von I/O-Pins (I/O8 bis I/O15) an die auf den Adresspins (A0 bis A15) angegebene Stelle geschrieben. Das Lesen aus dem Baustein erfolgt, indem Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW genommen werden, während Write Enable (WE) HIGH erzwungen wird. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, erscheinen Daten von der durch die Adresspins angegebenen Speicherstelle auf I/O0 bis I/O7. Wenn Byte High Enable (BHE) LOW ist, erscheinen Daten aus dem Speicher an I/O8 bis I/O15. Eine vollständige Beschreibung der Lese- und Schreibmodi finden Sie in der Wahrheitstabelle am Ende dieses Datenblatts. Die Eingangs-/Ausgangspins (I/O0 bis I/O15) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn das Gerät abgewählt wird (CE HIGH), die Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH), BHE und BLE deaktiviert werden (BHE, BLE HIGH) oder während eines Schreibvorgangs (CE LOW, und WE LOW).Der CY7C1021DV33 ist in Pb-freien, 44-poligen, 400 Millimeter breiten, vergossenen SOJ-, 44-poligen TSOP II- und 48-Kugel-VFBGA-Gehäusen erhältlich.Merkmale• Temperaturbereiche - Industriell: -40 °C bis 85 °C - Automobil-A: -40 °C bis 85 °C• Pin- und funktionskompatibel mit CY7C1021CV33• Hohe Geschwindigkeit: taa = 10 ns• Niedrige Wirkleistung: Icc = 60 mA @ 10 ns• Geringe CMOS-Standby-Leistung: Isb2 = 3 mA• 2.0 V Datenspeicherung• Automatische Abschaltung bei Abwahl• CMOS für optimale Geschwindigkeit/Leistung• Unabhängige Kontrolle der oberen und unteren Bits• Bleifrei erhältlich in 44-poligem 400 Mil breit gepresstem SOJ, 44-poligem TSOP II- und 48-Ball-VFBGA-Gehäuse

  • Shop: reichelt elektronik
  • Price: 1.70 EUR excl. shipping
• 

  IS61WV1288EEBLL - High-Speed SRAM, 1 Mb (128 K x 8), 3,3 V, 10ns, TSOP-32

  Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 128kx8 10ns TSOP32(I) mit ECCBeschreibung:Das ISSI IS61/64WV1288EEBLL ist ein statisches Hochgeschwindigkeits-RAM mit 1.048.576 Bit, das als 131.072 Wörter mit 8 Bit organisiert ist. Er wird unter Verwendung der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser hochzuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken führt zu hochleistungsfähigen Bauelementen mit geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Der IS61/64WV1288EEBLL ist im JEDEC-Standard-Gehäuse mit 32-poligem SOJ, TSOP-II, sTSOP-I und 48-Kugel-BGA (6mmx8mm) untergebracht.Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns• Niedrige Wirkleistung: 85 mW (typisch)• Niedrige Standby-Leistung: 7 mW (typisch) CMOS-Standby• Einzelne Stromversorgung• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• Drei Zustandsausgänge• Temperaturunterstützung für Industrie und Automobil• Bleifrei verfügbar• Fehlererkennung und Fehlerkorrektur

  • Shop: reichelt elektronik
  • Price: 2.15 EUR excl. shipping
• 

  IS61WV25616BLL - High-Speed SRAM, 4 Mb (256 K x 16), 3,3 V, 10ns, TSOP-44

  Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 256kx16 10ns TSOP44(II) Beschreibung:Bei den ISSI IS61WV25616Axx/Bxx handelt es sich um statische 4.194.304-Bit-Hochgeschwindigkeits-RAMs, die als 262.144 Worte mal 16 Bit organisiert sind. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken führt zu hochleistungsfähigen Bauelementen mit geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB). Die IS61WV6416DAxx/DBxx werden im JEDEC-Standardgehäuse mit 44-poligem TSOP Typ II, 44-poligem 400-mil SOJ und 48-poligem Mini-BGA (6mm x 8mm) gefertigt.Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns- Niedrige Wirkleistung: 85 mW (typisch)- Niedrige Standby-Leistung: 7 mW (typisch) CMOS-Standby• Einzel-Stromversorgung Vdd 2,4V bis 3,6V• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• Drei Zustandsausgänge• Temperaturunterstützung für Industrie und Automobil• Bleifrei verfügbar• Datenkontrolle für obere und untere Bytes

  • Shop: reichelt elektronik
  • Price: 3.93 EUR excl. shipping
• 

  IS61WV6416DBLL - High-Speed SRAM, 1 Mb (64 K x 16), 3,3 V, 10ns, TSOP-44

  Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 64kx16 10ns TSOP44(II) Beschreibung:Die ISSI IS61WV6416DAxx/DBxx sind statische Hochgeschwindigkeits-RAMs mit 1.048.576 Bit, die als 65.536 Worte mal 16 Bit organisiert sind. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken führt zu hochleistungsfähigen Bauelementen mit geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB). Die IS61WV6416DAxx/DBxx werden im JEDEC-Standardgehäuse mit 44-poligem TSOP Typ II, 44-poligem 400-mil SOJ und 48-poligem Mini-BGA (6mm x 8mm) gefertigt.Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns• Niedrige Wirkleistung: 135 mW (typisch)• Niedrige Standby-Leistung: 12 µW (typisch) CMOS-Standby• Einzel-Stromversorgung Vdd 2,4V bis 3,6V• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• Drei Zustandsausgänge• Temperaturunterstützung für Industrie und Automobil• Bleifrei verfügbar• Datenkontrolle für obere und untere Bytes

  • Shop: reichelt elektronik
  • Price: 3.20 EUR excl. shipping
• 

  Novalac H Night formula von Geburt an

  Wichtiger Hinweis: Muttermilch ist die ideale Nahrung für Säuglinge in den ersten Monaten. Sie ist gut verdaulich und so zusammengesetzt, dass sie im ersten Lebenshalbjahr den Bedarf an Nährstoffen und Flüssigkeit deckt. Bei alternativer Ernährung mit Muttermilchersatzprodukten beachten Sie die Hinweise und Zubereitungsanleitungen auf den Packungen genau, denn eine unsachgemäße Zubereitung von Säuglingsanfangsnahrung kann zu gesundheitlichen Beeinträchtigungen führen. Wir empfehlen, sich vor Anwendung von Muttermilchersatznahrung ärztlich beraten zu lassen. Bitte achten Sie auf eine abwechslungsreiche und ausgewogene Ernährung und gesunde Lebensweise. Novalac Night formula Sichert langfristige Sättigung wegen langkettigen Kohlenhydraten, die mithilfe von Stoffwechsel länger verarbeitet werden ü Verlangsamt nicht die Verdauung Hat keinen größeren Energiewert als andere Milchformeln Kann nur als Abendmahlzeit verwendet werden (für den längeren Schlaf des Babys) Zutaten: Magermilchpulver , pflanzliche Öle (Palm-, Soja-, Rapsöl), Maltodextrin, Maisstärke, Laktose ( Milch ), Emulgator ( Soj a-Lecithin), Vitamine (C, E, A, Folsäure, Niacin, D3, K1, Pantothensäure, B2, Biotin, B12, B1, B6), L-Cistin, Cholinbitartrat, Natriumchlorid, Kaliumhydroxid, Taurin, Eisensulfat, Inositol, Zinksulfat, Magnesiumoxid, Antioxidantien (reich an Tocopherolen), L-Carnitin, Kupfersulfat, Mangansulfat, Natriumselenit, Kaliumjodid. Die Zusammensetzung der Säuglingsmilchnahrungen Novalac entspricht den EU-Richtlinien über Säuglingsmilchernährung, enthält keine gentechnisch veränderten Organismen (Gvo). Novalac Night Formula 100 g 100 ml 100 kcal Energie kJ 2146,2 279 418,4 kcal 512,9 66,7 100 Fett g 26,9 3,5 5,2 davon gesättigt g 9,8 1,3 1,9 davon einfach ungesättigt g 9,7 1,3 1,9 davon mehrfach ungesättigt g 6,1 0,8 1,2 davon Linolsäure (ω-6) g 5,6 0,7 1,1 davon α-Linolsäure (ω-3) mg 510 66,3 99,4 Kohlenhydrate g 56,7 7,4 11,1 davon Zucker g 24,6 3,2 4,8 Eiweiß g 11 1,4 2,1 Salz / Natrium g/mg 0,375/150 0,05/19,5 0,07/29,2 Vitamine A µg RE 450 58,5 87,7 B1 µg 400 52 78 B2 µg 800 104 156 B6 µg 300 39 58,5 B12 µg 1,5 0,2 0,3 C mg 60 7,8 11,7 D3 µg 7,5 1 1,5 E mg α-TE 8,7 1,1 1,7 K1 µg 30 3,9 5,8 Niacin mg 4,5 0,6 0,9 Pantothensäure mg 2,4 0,3 0,5 Folsäure µg 60 7,8 11,7 Biotin µg 15 2 2,9 Mineralstoffe Natrium mg 150 19,5 29,6 Kalium mg 600 78 117 Chlorid mg 360 46,8 70,2 Calcium mg 430 55,9 83,8 Phosphor mg 320 41,6 62,4 Magnesium mg 45 5,9 8,8 Eisen mg 6 0,8 1,2 Zink mg 4,5 0,6 0,9 Jod µg 85 11,1 16,6 Kupfer µg 350 45,5 68,2 Mangan µg 45 5,9 8,8 Selen µg 10 1,3 1,9 Fluorid µg Cholin mg 60 7,8 11,7 Inotisol mg 25 3,3 4,9 Taurin mg 44 5,7 8,6 L-Carnitin mg 8 1 1,6 Anwendung: Novalac H ist eine Säuglichmilch Dosierung: Alter (Monate) 0-1 1-2 2-4 4-6 Anzahl Fläschchen pro Tag 6 5 5 4 Anzahl Messlöffel 3 4 5 7 Abgekochtes Wasser (ml) 90 120 150 210 Standardauflösung: 13 g Pulver + 90 ml abgekochtes Trinkwasser = 100 ml trinkfertige Nahrung. 1 gestrichener Messlöffel entspricht ca. 4,3 g Novalac H Nach Absprache mit Ihrem Kinderarzt sollen Trinkmengen und Anzahl aller Mahlzeiten und die Bedürfnisse Ihres Babys abgestimmt werden. Die angegebenen Trinkmengen und die Anzahl der Fläschchen pro Tag sind empfohlene Richtwerte. Hinweis: Die angegebene empfohlene Tagesmenge darf nicht überschritten werden. Aufbewahrung: Kühl (6-25 °C) und lichtgeschützt lagern. Außerhalb der Reichweite von Kindern aufbewahren. Nettofüllmenge: 800 g Pulver Herstellerdaten: Medis GmbH St. Veiter Straße 34/3 A-9020 Klagenfurt am Wörthersee

  • Shop: Shop-Apotheke
  • Price: 18.11 EUR excl. shipping
• 

  CY7C1041GN-10ZSX - High-Speed SRAM, 4 Mb (256 K x 16), 5 V, 10ns, TSOP-44

  High-Speed CMOS Static RAM 5V 256k x16 10ns TSOP44(II)Funktionale Beschreibung:CY7C1041GN ist ein schnelles statisches CMOS-Hochleistungs-RAM, das als 256K-Wörter mit 16 Bit organisiert ist. Das Schreiben von Daten erfolgt durch die Aktivierung der Chip Enable (CE)- und Write Enable (WE)-Eingänge LOW, während die Daten auf den Pins I/O0 bis I/O15 und die Adresse auf den Pins A0 bis A17 bereitgestellt werden.Die Eingänge Byte High Enable (BHE) und Byte Low Enable (BLE) steuern Schreiboperationen in die oberen und unteren Bytes der angegebenen Speicherstelle. BHE steuert I/O8 bis I/O15 und BLE steuert I/O0 bis I/O7. Daten werden gelesen, indem die Eingänge Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) auf LOW gesetzt werden und die erforderliche Adresse auf den Adressleitungen bereitgestellt wird. Auf die gelesenen Daten kann über die E/A-Leitungen (I/O0 bis I/O15) zugegriffen werden. Byte-Zugriffe können durchgeführt werden, indem das erforderliche Byte-Freigabesignal (BHE oder BLE) aktiviert wird, um entweder das obere oder das untere Byte der Daten von der angegebenen Adressposition zu lesen. Alle E/As (I/O0 bis I/O15) werden während der folgenden Ereignisse in einen hochohmigen Zustand versetzt:- Das Gerät wird abgewählt (CE HIGH)- Die Steuersignale (OE, BLE, BHE) werden deaktiviert.Merkmale:• Hohe Geschwindigkeit: tAA = 10 ns • Niedrige Wirk- und Ruheströme - Wirkstrom: ICC = 38-mA typisch - Standby-Strom: ISB2 = 6-mA typisch• Betriebsspannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V• 1.0-V-Datenspeicherung• TTL-kompatible Ein- und Ausgänge• Pb-freie 44-polige SOJ, 44-polige TSOP II und 48-Ball VFBGA Gehäuse

  • Shop: reichelt elektronik
  • Price: 4.30 EUR excl. shipping

---

---