65 Results for : pegeln

  • Thumbnail
    CY62148ELL-55SX - SRAM, 4 Mb (512 K x 8), 5 V, 55ns, SOP-32
    4-Mbit (512 K × 8) Static RAM, LLPow as 5V 512kx8 55ns SOP32Beschreibung:Der CY62148E ist ein hochleistungsfähiges statisches CMOS-RAM, das als 512 K-Worte mit 8 Bits organisiert ist. Dieses Bauelement zeichnet sich durch ein fortschrittliches Schaltungsdesign aus, das einen extrem niedrigen Standby-Strom liefert. Dies ist ideal für die Bereitstellung von More Battery Life™ (MoBL) in tragbaren Anwendungen. Das Gerät verfügt auch über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch erheblich reduziert, wenn die Adressen nicht umschalten. Wenn das Gerät in den Standby-Modus versetzt wird, verringert sich der Stromverbrauch um mehr als 99%, wenn es abgewählt wird (CE HIGH). Die acht Eingangs- und Ausgangspins (I/O0 bis I/O7) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt (CE HIGH), Ausgänge deaktiviert (OE HIGH) oder während eines aktiven Schreibvorgangs (CE LOW und WE LOW). Um auf das Gerät zu schreiben, nehmen Sie die Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) LOW. Die Daten auf den acht I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) werden dann an die auf den Adresspins (A0 bis A18) angegebene Stelle geschrieben. Um aus dem Gerät zu lesen, nehmen Sie Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW, während Sie Write Enable (WE) HIGH erzwingen. Unter diesen Bedingungen erscheint der Inhalt der durch die Adresspins spezifizierten Speicherstelle auf den E/A-Pins. Der Baustein CY62148E eignet sich für den Anschluss von Prozessoren mit TTL-I/P-Pegeln. Er ist nicht für Prozessoren geeignet, die CMOS I/P-Level benötigen. Merkmale:• Sehr hohe Geschwindigkeit: 55 ns• Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V• Pin kompatibel mit CY62148B• Extrem niedrige Standby-Leistung - Typischer Bereitschaftsstrom: 1 µA - Maximaler Standby-Strom: 7 µA (Industrie)• Ultra-niedrige Wirkleistung - Typischer Wirkstrom: 2,0 mA bei f = 1 MHz- Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen• Automatische Abschaltung bei Abwahl• Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung• Verfügbar im Pb-freien 32-Pin Thin Small Outline Package (TSOP) II und 32-polige SOIC-Gehäuse (Small-Outline Integrated Circuit)[1]
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 4.00 EUR excl. shipping
  • Thumbnail
    CY7C1021D-10ZSXI - High-Speed SRAM, 1 Mb (64 K x 16), 5 V, 10ns, TSOP-44
    High-Speed CMOS Static RAM 5V 64kx16 10ns TSOP44(II)Funktionale Beschreibung:Der CY7C1021D ist ein hochleistungsfähiger statischer CMOS-RAM, der als 65.536 Worte mit 16 Bit organisiert ist. Dieser Baustein verfügt über eine automatische Abschaltfunktion, die bei Abwahl den Stromverbrauch erheblich reduziert. Die Eingangs- und Ausgangspins (I/O0 bis I/O15) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt wird (CE HIGH), Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH), BHE und BLE deaktiviert werden (BHE, BLE HIGH) oder während eines Schreibvorgangs (CE LOW und WE LOW). Schreiben auf das Gerät unter Verwendung der Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) LOW. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, dann werden Daten von I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) an die auf den Adresspins (A0 bis A15) angegebene Stelle geschrieben. Wenn Byte High Enable (BHE) LOW ist, dann werden Daten von I/O-Pins (I/O8 bis I/O15) an die auf den Adresspins (A0 bis A15) angegebene Stelle geschrieben. Lesen Sie aus dem Gerät, indem Sie Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW nehmen, während Sie Write Enable (WE) HIGH erzwingen. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, erscheinen Daten von der durch die Adresspins spezifizierten Speicherstelle auf I/O0 bis I/O7. Wenn Byte High Enable (BHE) LOW ist, erscheinen Daten aus dem Speicher an I/O8 bis I/O15. Eine vollständige Beschreibung der Lese- und Schreibmodi finden Sie in der Wahrheitstabelle auf Seite 10. Der Baustein CY7C1021D eignet sich für den Anschluss an Prozessoren mit TTL-I/P-Pegeln. Er eignet sich nicht für Prozessoren, die CMOS-I/P-Pegel benötigen.Merkmale:• Temperaturbereiche: Industriell: -40 °C bis 85 °C• Pin und Funktion kompatibel mit CY7C1021B• Hohe Geschwindigkeit: taa = 10 ns• Niedrige Wirkleistung: Icc = 80 mA bei 10 ns• Niedrige CMOS-Standby-Leistung: Isb2 = 3 mA• 2,0 V Datenspeicherung• Automatisches Ausschalten bei Abwahl• CMOS für optimale Geschwindigkeit und Leistung• Unabhängige Kontrolle der oberen und unteren Bits• Erhältlich in Pb-freien 44-poligen 400-Mil Wide Molded SOJ und44-poligem TSOP-II-Gehäuse
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 2.10 EUR excl. shipping
  • Thumbnail
    Plantronics Poly DECT Headset Savi 8210 UC monaural USB-C
    Das Headset-System der Savi 8200-Serie unterstützt Sie mit einer Vielzahl von Kommunikationsfunktionen dabei, Höchstleistungen zu erreichen. Mit unternehmensfähigem DECT-Audio können Sie sich frei bewegen und diverse Aufgaben erledigen – und das in einer Entfernung von bis zu 180 m.Fortschrittliche Audiotechnologie liefert höchste Sprachqualität, ohne die Benutzerdichte zu beeinträchtigen. Das Rauschunterdrückende Mikrofon mit Gesprächsbegrenzung, optimiert Ihre Stimme bei gleichzeitiger Minimierung von Hintergrundgeräuschen für einen kristallklaren Sound.> Highlights- Ideal für Büro- und Concept Center-Mitarbeiter- Koppellung mit PC, Mobilgerät und Festnetz parallel möglich- Drahtlose Übertragung via DECT und Bluetooth- Monaurale Tragevariante- Noise Cancelling Mikrofon- Flexibler Mikrofonarm- Konferenzschaltungen mit Gesprächspartnern auf verschiedenen Endgeräten (Festnetz, PC, Mobilgerät) möglich- SoundGuard Digital schützt Ihre Ohren vor Lautstärke-Pegeln von über 118 dBA- Bedientasten am Headset- Inkl. komfortabler Halterung / Ladestation- Klingelton inkl. Lautstärkeregelung an der Basis> Produkttyp- Headset- ear-Kategorie: relevant, Kategorie 5: Kleingeräte < 50 cm (alle Seiten), Kleingeräte B2C> Spezifikationen- Gewicht (inkl. Akku): 115 g> Audio- Mikrofon: Noise Cancelling, Mikrofonarm anpassbar, Mikrofonstummschaltung- Gesprächsannahmefunktion- Lautstärkeregelung: am Headset- Soundguard- Wideband- Tragevariante: Überkopf> Stromversorgung- Akkutechnologie: LiPo - Lithium-Polymer- Akku- Ladezeit: 3 Stunde(n)> Datenübertragung- Übertragungstechnik: kabellos- Reichweite im Gebäude: 55 m- Reichweite im Freien: 180 m> Grundeigenschaften- Farbe: Schwarz> Lieferumfang- Poly DECT Headset Savi 8210 UC monaural USB-C- Basis / Ladestation
    • Shop: mcbuero
    • Price: 262.84 EUR excl. shipping
  • Thumbnail
    Gewässerführer für Nordrhein-Westfalen
    Der Gewässerführer für NRW beinhaltet ca. 200 Flussbeschreibungen und dient den zahlreichen nordrhein-westfälischen Kanuten und Stand-Up Paddlern als wichtiges Informationsmedium und detaillierte Planungsunterlage für ihre Kanutouren. Neben den detaillierten Flussbeschreibungen und den bewährten Zusatzinformationen wie Übernachtungsmöglichkeiten, Boot + Bahn, der beiliegenden Karte und dem Pegeldienst gibt es die in der letzten Auflage eingeführten Neuerungen wie die Umschlagklappen mit Kurzinfos, die aus dem Online-Flussführer bekannten Piktogramme, Griffmarken, den Bereich Boot + Bike und ein leicht überarbeitetes Layout mit Übersichtstabellen. Hinweise zur Befahrung mit SUP-Boards, QR-Codes für Links und Links zu Pegeln sind nur einige der Neuerungen in diesem Buch.
    • Shop: buecher
    • Price: 20.60 EUR excl. shipping
  • Thumbnail
    CY62128ELL-45SX - SRAM, 1 Mb (128 K x 8), 5 V, 45ns, SOP-32
    1-Mbit (128 K × 8) Static RAM, SRAM, 5V 128kx8 45ns SOP32BeschreibungDer CY62128E ist ein hochleistungsfähiger statischer CMOS-RAM, der als 128K-Wörter mit 8 Bit organisiert ist. Dieses Bauelement zeichnet sich durch ein fortschrittliches Schaltungsdesign aus, das einen extrem niedrigen aktiven Strom liefert. Dies ist ideal für die Bereitstellung von More Battery Life™ (MoBL) in tragbaren Anwendungen. Das Gerät verfügt auch über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch erheblich reduziert, wenn die Adressen nicht umschalten. Wenn das Gerät in den Standby-Modus versetzt wird, reduziert sich der Stromverbrauch um mehr als 99 Prozent, wenn es abgewählt wird (CE1 HIGH oder CE2 LOW). Die acht Eingangs- und Ausgangspins (I/O0 bis I/O7) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt wird (CE1 HIGH oder CE2 LOW), die Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH) oder ein Schreibvorgang läuft (CE1 LOW und CE2 HIGH und WE LOW) Um auf den Baustein zu schreiben, nehmen Sie die Eingänge Chip Enable (CE1 LOW und CE2 HIGH) und Write Enable (WE) LOW. Die Daten auf den acht I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) werden dann an die auf den Adresspins (A0 bis A16) angegebene Stelle geschrieben. Um aus dem Gerät zu lesen, nehmen Sie Chip Enable (CE1 LOW und CE2 HIGH) und Output Enable (OE) LOW, während Sie Write Enable (WE) HIGH erzwingen. Unter diesen Bedingungen erscheint der Inhalt der durch die Adresspins spezifizierten Speicherstelle auf den E/A-Pins. Der Baustein CY62128E eignet sich für den Anschluss von Prozessoren mit TTL-I/P-Pegeln. Er ist nicht für Prozessoren geeignet, die CMOS I/P-Level benötigen. Merkmale• Ultra-niedriger Standby-Strom• Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns• Temperaturbereiche: Industrie: -40 °C bis +85 °C• Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V• Pin kompatibel mit CY62128B• Extrem niedrige Standby-Leistung - Typischer Standby-Strom: 1 A - Maximaler Standby-Strom: 4 A (Industrie)• Ultra-niedrige Wirkleistung - Typischer Wirkstrom: 1,3 mA bei f = 1 MHz• Einfache Speichererweiterung mit CE1, CE2 und OE-Funktionen• Automatisches Ausschalten bei Abwahl• Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung• Angeboten in standardmäßigen Pb-freien 32-poligen STSOP-, 32-poligen SOIC- und 32-poligen Thin Small Outline Packages (TSOP) Typ I-Gehäusen
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 2.35 EUR excl. shipping
  • Thumbnail
    CY62128ELL-45ZXI - SRAM, 1 Mb (128 K x 8 ), 5 V, 45ns, TSOP-32
    1-Mbit (128K × 8-Bit) Statischer RAM BeschreibungDer CY62128E ist ein hochleistungsfähiger statischer CMOS-RAM, der als 128K-Wörter mit 8 Bit organisiert ist. Dieses Bauelement zeichnet sich durch ein fortschrittliches Schaltungsdesign aus, das einen extrem niedrigen aktiven Strom liefert. Dies ist ideal für die Bereitstellung von More Battery Life™ (MoBL) in tragbaren Anwendungen. Das Gerät verfügt auch über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch erheblich reduziert, wenn die Adressen nicht umschalten. Wenn das Gerät in den Standby-Modus versetzt wird, reduziert sich der Stromverbrauch um mehr als 99 Prozent, wenn es abgewählt wird (CE1 HIGH oder CE2 LOW). Die acht Eingangs- und Ausgangspins (I/O0 bis I/O7) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt wird (CE1 HIGH oder CE2 LOW), die Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH) oder ein Schreibvorgang läuft (CE1 LOW und CE2 HIGH und WE LOW) Um auf den Baustein zu schreiben, nehmen Sie die Eingänge Chip Enable (CE1 LOW und CE2 HIGH) und Write Enable (WE) LOW. Die Daten auf den acht I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) werden dann an die auf den Adresspins (A0 bis A16) angegebene Stelle geschrieben. Um aus dem Gerät zu lesen, nehmen Sie Chip Enable (CE1 LOW und CE2 HIGH) und Output Enable (OE) LOW, während Sie Write Enable (WE) HIGH erzwingen. Unter diesen Bedingungen erscheint der Inhalt der durch die Adresspins spezifizierten Speicherstelle auf den E/A-Pins. Der Baustein CY62128E eignet sich für den Anschluss von Prozessoren mit TTL-I/P-Pegeln. Er ist nicht für Prozessoren geeignet, die CMOS I/P-Level benötigen. Weitere Einzelheiten und Alternativvorschläge finden Sie unter Elektrische Kenndaten auf Seite 5.Merkmale• Ultra-niedriger Standby-Strom• Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns• Temperaturbereiche: Industrie: -40 °C bis +85 °C• Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V• Pin kompatibel mit CY62128B• Extrem niedrige Standby-Leistung - Typischer Standby-Strom: 1 A - Maximaler Standby-Strom: 4 A (Industrie)• Ultra-niedrige Wirkleistung - Typischer Wirkstrom: 1,3 mA bei f = 1 MHz• Einfache Speichererweiterung mit CE1, CE2 und OE-Funktionen• Automatisches Ausschalten bei Abwahl• Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung• Angeboten in standardmäßigen Pb-freien 32-poligen STSOP-, 32-poligen SOIC- und 32-poligen Thin Small Outline Packages (TSOP) Typ I-Gehäusen
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 2.20 EUR excl. shipping
  • Thumbnail
    CY62158ELL-45ZSX - SRAM, 8 Mb (1 M x 8), 5 V, 45ns, TSOP-44
    8-Mbit (1 M × 8) Static RAM, SRAM LLPow as 5V 1Mx8 45ns TSOP44(II)BeschreibungDas CY62158E MoBL® ist ein hochleistungsfähiges statisches CMOS-RAM, das als 1024K Wörter mit 8 Bit organisiert ist. Dieses Bauelement zeichnet sich durch ein fortschrittliches Schaltungsdesign aus, das einen extrem niedrigen aktiven Strom liefert. Dies ist ideal für die Bereitstellung von More Battery Life™ (MoBL) in tragbaren Anwendungen. Das Gerät verfügt außerdem über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch erheblich reduziert. Wenn das Gerät in den Standby-Modus versetzt wird, verringert sich der Stromverbrauch bei Abwahl (CE1 HIGH oder CE2 LOW) erheblich. Um auf das Gerät zu schreiben, nehmen Sie Chip Enables (CE1 LOW und CE2 HIGH) und Write Enable (WE) Eingang LOW. Die Daten auf den acht I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) werden dann an die auf den Adresspins (A0 bis A19) angegebene Stelle geschrieben. Um aus dem Gerät zu lesen, nehmen Sie Chip Enables (CE1 LOW und CE2 HIGH) und OE LOW, während Sie das WE HIGH erzwingen. Unter diesen Bedingungen erscheint der Inhalt der durch die Adresspins spezifizierten Speicherstelle auf den E/A-Pins. Die acht Eingangs- und Ausgangspins (I/O0 bis I/O7) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt wird (CE1 HIGH oder CE2 LOW), die Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH) oder ein Schreibvorgang läuft (CE1 LOW und CE2 HIGH und WE LOW). Eine vollständige Beschreibung der Lese- und Schreibmodi finden Sie in der Wahrheitstabelle auf Seite 11. Der Baustein CY62158E eignet sich für den Anschluss von Prozessoren mit TTL-I/P-Pegeln. Er ist nicht für Prozessoren geeignet, die CMOS I/P-Level benötigen. Merkmale• Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns - Großer Spannungsbereich: 4,5 V-5,5 V• Ultra-niedrige Wirkleistung - Typischer Wirkstrom: 1,8 mA bei f = 1 MHz - Typischer Wirkstrom: 18 mA bei f = fmax• Extrem niedrige Standby-Leistung - Typischer Standby-Strom: 2 A - Maximaler Standby-Strom: 8 A• Einfache Speichererweiterung mit CE1, CE2 und OE-Funktionen• Automatisches Ausschalten bei Abwahl• CMOS für optimale Geschwindigkeit und Leistung• Wird im Pb-freien 44-poligen TSOP II-Paket angeboten
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 12.75 EUR excl. shipping
  • Thumbnail
    Plantronics Poly DECT Headset Savi 8220-M UC binaural USB-C
    Das Headset-System der Savi 8200-Serie unterstützt Sie mit einer Vielzahl von Kommunikationsfunktionen dabei, Höchstleistungen zu erreichen. Mit unternehmensfähigem DECT-Audio können Sie sich frei bewegen und diverse Aufgaben erledigen – und das in einer Entfernung von bis zu 180 m. Fortschrittliche Audiotechnologie liefert hochauflösende Sprachqualität, ohne die Benutzerdichte zu beeinträchtigen. Das Rauschunterdrückende Mikrofon mit Gesprächsbegrenzung, optimiert Ihre Stimme bei gleichzeitiger Minimierung von Hintergrundgeräuschen für einen kristallklaren Sound.> Highlights- Ideal für Büro- und Concept Center-Mitarbeiter- Drahtlose Übertragung via DECT- Binaurale Tragevariante- Noise Cancelling Mikrofon- Flexibler Mikrofonarm- SoundGuard Digital schützt Ihre Ohren vor Lautstärke-Pegeln von über 118 dBA- Bedientasten am Headset- Inkl. komfortabler Halterung / Ladestation- Inklusive USB-DECT Dongle> Produkttyp- Headset- ear-Kategorie: relevant, Kategorie 5: Kleingeräte < 50 cm (alle Seiten), Kleingeräte B2C> Spezifikationen- Gewicht (inkl. Akku): 160 g> Anschlüsse- Anschluss: USB-C- Headsetkonnektivität: DECT> Audio- Lautsprecherfrequenz von: 20 Hz- Lautsprecherfrequenz bis: 20 kHz- Mikrofon: Noise Cancelling, Mikrofonarm anpassbar, Mikrofonstummschaltung- Mikrofonfrequenz bis: 6800 Hz- Mikrofonfrequenz von: 100 Hz- Gesprächsannahmefunktion- Hörtyp: binaural- Lautsprecherimpedanz: 32 Ohm- Lautstärkeregelung: am Headset- Soundguard- Wideband- Bauart: offen- Tragevariante: Überkopf> Stromversorgung- Akkutechnologie: LiPo - Lithium-Polymer- Akku- Ladezeit: 3 Stunde(n)> Datenübertragung- Übertragungstechnik: kabellos- Reichweite im Gebäude: 55 m- Reichweite im Freien: 180 m> Grundeigenschaften- Farbe: Schwarz- Gewicht: 160 g> Lieferumfang- DECT Headset Savi 8220-M UC binaural USB-C- USB-C DECT Dongle- Ladestation
    • Shop: mcbuero
    • Price: 279.25 EUR excl. shipping
  • Thumbnail
    Plantronics Poly DECT Headset Savi 8220-M UC binaural USB-A
    Das Headset-System der Savi 8200-Serie unterstützt Sie mit einer Vielzahl von Kommunikationsfunktionen dabei, Höchstleistungen zu erreichen. Mit unternehmensfähigem DECT-Audio können Sie sich frei bewegen und diverse Aufgaben erledigen – und das in einer Entfernung von bis zu 180 m. Fortschrittliche Audiotechnologie liefert hochauflösende Sprachqualität, ohne die Benutzerdichte zu beeinträchtigen. Das Rauschunterdrückende Mikrofon mit Gesprächsbegrenzung, optimiert Ihre Stimme bei gleichzeitiger Minimierung von Hintergrundgeräuschen für einen kristallklaren Sound.> Highlights- Ideal für Büro- und Concept Center-Mitarbeiter- Drahtlose Übertragung via DECT- Binaurale Tragevariante- Noise Cancelling Mikrofon- Flexibler Mikrofonarm- SoundGuard Digital schützt Ihre Ohren vor Lautstärke-Pegeln von über 118 dBA- Bedientasten am Headset- Inkl. komfortabler Halterung / Ladestation- Inklusive USB-DECT Dongle- Inklusive USB-DECT Dongle> Produkttyp- Headset- ear-Kategorie: relevant, Kategorie 5: Kleingeräte < 50 cm (alle Seiten), Kleingeräte B2C> Spezifikationen- Gewicht (inkl. Akku): 160 g> Anschlüsse- Anschluss: USB- Headsetkonnektivität: DECT> Audio- Lautsprecherfrequenz von: 20 Hz- Lautsprecherfrequenz bis: 20 kHz- Mikrofon: Noise Cancelling, Mikrofonarm anpassbar, Mikrofonstummschaltung- Mikrofonfrequenz bis: 6800 Hz- Mikrofonfrequenz von: 100 Hz- Gesprächsannahmefunktion- Hörtyp: binaural- Lautsprecherimpedanz: 32 Ohm- Lautstärkeregelung: am Headset- Soundguard- Wideband- Bauart: offen- Tragevariante: Überkopf> Stromversorgung- Akkutechnologie: LiPo - Lithium-Polymer- Akku- Ladezeit: 3 Stunde(n)> Datenübertragung- Übertragungstechnik: kabellos- Reichweite im Gebäude: 55 m- Reichweite im Freien: 180 m> Grundeigenschaften- Farbe: Schwarz- Gewicht: 160 g> Lieferumfang- DECT Headset Savi 8220-M UC binaural USB-A- USB-A DECT Dongle- Ladestation
    • Shop: mcbuero
    • Price: 284.92 EUR excl. shipping
  • Thumbnail
    628128-70 M - SRAM, 1 Mb (128 K x 8), 5 V, 45 ns, SOP-32
    1-Mbit (128 K × 8) Statisches RAMBeschreibung:Der CY62128E ist ein hochleistungsfähiger statischer CMOS-RAM, der als 128K-Wörter mit 8 Bit organisiert ist. Dieser Baustein zeichnet sich durch ein fortschrittliches Schaltungsdesign aus, das einen extrem niedrigen aktiven Strom liefert. Dies ist ideal für die Bereitstellung von More Battery Life™ (MoBL) in tragbaren Anwendungen. Der Baustein verfügt auch über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch erheblich reduziert, wenn die Adressen nicht umgeschaltet werden. Wenn das Gerät in den Standby-Modus versetzt wird, verringert sich der Stromverbrauch um mehr als 99 Prozent, wenn es abgewählt wird (CE1 HIGH oder CE2 LOW). Die acht Eingangs- und Ausgangspins (I/O0 bis I/O7) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt wird (CE1 HIGH oder CE2 LOW), die Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH) oder ein Schreibvorgang läuft (CE1 LOW und CE2 HIGH und WE LOW). Um auf den Baustein zu schreiben, nehmen Sie die Eingänge Chip Enable (CE1 LOW und CE2 HIGH) und Write Enable (WE) LOW. Die Daten auf den acht I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) werden dann an die auf den Adresspins (A0 bis A16) angegebene Stelle geschrieben. Um aus dem Gerät zu lesen, nehmen Sie Chip Enable (CE1 LOW und CE2 HIGH) und Output Enable (OE) LOW, während Sie Write Enable (WE) HIGH erzwingen. Unter diesen Bedingungen erscheint der Inhalt der durch die Adresspins spezifizierten Speicherstelle auf den I/O-Pins. Der Baustein CY62128E eignet sich für den Anschluss an Prozessoren mit TTL-I/P-Pegeln. Er eignet sich nicht für Prozessoren, die CMOS-I/P-Pegel benötigen. Weitere Einzelheiten und Alternativvorschläge finden Sie unter Elektrische Kenndaten auf Seite 5.Merkmale:• Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns• Temperaturbereiche - Industrie: -40 °C bis +85 °C - Automobil-A: -40 °C bis +85 °C - Automobil-E: -40 °C bis +125 °C• Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V• Stift kompatibel mit CY62128B• Extrem niedrige Standby-Leistung - Typischer Standby-Strom: 1 A - Maximaler Standby-Strom: 4 A (Industrie)• Ultra-niedrige Wirkleistung - Typischer Wirkstrom: 1,3 mA bei f = 1 MHz• Einfache Speichererweiterung mit CE1, CE2 und OE-Funktionen• Automatisches Ausschalten bei Abwahl• Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung• Angeboten in standardmäßigen Pb-freien 32-poligen STSOP-, 32-poligen SOIC- und 32-poligen Thin Small Outline Packages (TSOP) Typ I-GehäusenAnwendungen:• Komparatoren• Multivibratoren• DC-Verstärker• Summenverstärker• Integrator oder Differenzierer• Aktive Filter
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 2.80 EUR excl. shipping

Similar searches: