96 Results for : halide

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    AT45DB021E-SSHN - NOR-Flash-Speicher 2Mb, 1,65V, Seriell, SPI, 70MHz, SO-8
    Flash-Speicher, Serial-NOR, 2 Mbit, SPI, SO-8 0.15'', 70Mhz, 1024 Seiten x 264 ByteMerkmale:• Versorgungsspannung 1,65V - 3,6V • Serielle Peripherieschnittstelle (SPI) kompatibel- Unterstützt die SPI-Modi 0 und 3- Unterstützt den Betrieb von RapidS™• Kontinuierliche Lesefähigkeit über das gesamte Array hinweg- Bis zu 85MHz- Low-Power-Leseoption bis zu 15MHz- Clock-to-Output-Zeit (tV) von maximal 6ns• Benutzerdefinierbare Seitengröße- 256 Bytes pro Seite- 264 Bytes pro Seite (Standard)- Die Seitengröße kann werkseitig für 256 Byte vorkonfiguriert werden.• SRAM-Datenpuffer (256/264 Bytes)• Flexible Programmiermöglichkeiten- Byte/Seitenprogramm (1 bis 256/264 Bytes) direkt in den Hauptspeicher- Puffer-Schreiben- Pufferung zum Hauptspeicherseitenprogramm• Flexible Löschoptionen- Seitenlöschung (256/264 Bytes)- Block löschen (2KB)- Sektor löschen (32KB)- Chip-Löschung (2-Mbit/s)• Erweiterte Funktionen zum Schutz von Hard- und Softwaredaten- Individueller Sektorenschutz- Individuelle Sektorsperre, um jeden Sektor dauerhaft schreibgeschützt zu machen.• 128-Byte-OTP-Sicherheitsregister (One-Time Programmable)- 64 Bytes werkseitig mit einer eindeutigen Kennung programmiert- 64 Byte benutzerdefiniert programmierbar• Hardware- und softwaregesteuerte Reset-Optionen• JEDEC Standard Hersteller und Geräte-ID • Geringe Verlustleistung- 200nA Ultra-Deep Power-Down Strom (typisch)- 3µA Deep Power-Down Strom (typisch)- 25µA Standby-Strom (typisch bei 20MHz)- 4,5mA Aktiv Lesestrom (typisch)• Lebensdauer: 100.000 Programm-/Löschzyklen pro Seite • Vorratsdatenspeicherung: 20 Jahre• Entspricht den gesamten industriellen Temperaturbereich• Grüne (Pb/Halide-Free/RoHS-konform) Gehäusebauform- 8-pol-SOIC (0.150'' und 0.208'' breit)- 8-pol ultradünnes DFN (5 x 6 x 0,6 mm)
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    AT45DB161E-SHD - NOR-Flash-Speicher 16Mb, 2,5V, Seriell, SPI, 85MHz, SOL-8
    Flash-Speicher, Serial-NOR, 16 Mbit, SPI, SOL-8 0.208'', 85Mhz, 4096 Seiten x 528 Byte Merkmale:• Versorgungsspannung 2,5V - 3,6V • Serielle Peripherieschnittstelle (SPI) kompatibel- Unterstützt die SPI-Modi 0 und 3- Unterstützt den Betrieb von RapidS™• Kontinuierliche Lesefähigkeit über das gesamte Array hinweg- Bis zu 85MHz- Low-Power-Leseoption bis zu 15MHz- Clock-to-Output-Zeit (tV) von maximal 6ns• Benutzerdefinierbare Seitengröße- 512 Bytes pro Seite- 528 Bytes pro Seite (Standard)- Die Seitengröße kann werkseitig für 512 Byte vorkonfiguriert werden.• 2 unabhängige SRAM-Datenpuffer (512/528 Bytes)- Ermöglicht den Empfang von Daten während der Neuprogrammierung der Hauptspeicheranordnung• Flexible Programmiermöglichkeiten- Byte/Seitenprogramm (1 bis 512/528 Bytes) direkt in den Hauptspeicher- Puffer-Schreiben- Pufferung zum Hauptspeicherseitenprogramm• Flexible Löschoptionen- Seitenlöschung (512/528 Bytes)- Block löschen (4KB)- Sektor löschen (128KB)- Chip-Löschung (16-Mbit/s)• Suspend / Resume programmieren und löschen• Erweiterte Funktionen zum Schutz von Hard- und Softwaredaten- Individueller Sektorenschutz- Individuelle Sektorsperre, um jeden Sektor dauerhaft schreibgeschützt zu machen.• 128-Byte-OTP-Sicherheitsregister (One-Time Programmable)- 64 Bytes werkseitig mit einer eindeutigen Kennung programmiert- 64 Byte benutzerdefiniert programmierbar• Hardware- und softwaregesteuerte Reset-Optionen• JEDEC Standard Hersteller und Geräte-ID • Geringe Verlustleistung- 400nA Ultra-Deep Power-Down Strom (typisch)- 3µA Deep Power-Down Strom (typisch)- 25µA Standby-Strom (typisch)- 7mA Aktiv Lesestrom (typisch)• Lebensdauer: 100.000 Programm-/Löschzyklen pro Seite • Vorratsdatenspeicherung: 20 Jahre• Entspricht den gesamten industriellen Temperaturbereich• Grüne (Pb/Halide-Free/RoHS-konform) Gehäusebauform- 8-pol-SOIC (0.150'' und 0.208'' breit)
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    AT45DB081E-SHN - NOR-Flash-Speicher 8Mb, 1,7V, Seriell, SPI, 85MHz, SOL-8
    Flash-Speicher, Serial-NOR, 8 Mbit, SPI, SOL-8 0.208'', 85Mhz, 4096 Seiten x 264 Byte Merkmale:• Versorgungsspannung 1,7V - 3,6V • Serielle Peripherieschnittstelle (SPI) kompatibel- Unterstützt die SPI-Modi 0 und 3- Unterstützt den Betrieb von RapidS™• Kontinuierliche Lesefähigkeit über das gesamte Array hinweg- Bis zu 85MHz- Low-Power-Leseoption bis zu 20MHz- Clock-to-Output-Zeit (tV) von maximal 6ns• Benutzerdefinierbare Seitengröße- 256 Bytes pro Seite- 264 Bytes pro Seite (Standard)- Die Seitengröße kann werkseitig für 256 Byte vorkonfiguriert werden.• 2 unabhängige SRAM-Datenpuffer (256/264 Bytes)- Ermöglicht den Empfang von Daten während der Neuprogrammierung der Hauptspeicheranordnung• Flexible Programmiermöglichkeiten- Byte/Seitenprogramm (1 bis 256/264 Bytes) direkt in den Hauptspeicher- Puffer-Schreiben- Pufferung zum Hauptspeicherseitenprogramm• Flexible Löschoptionen- Seitenlöschung (256/264 Bytes)- Block löschen (2KB)- Sektor löschen (64KB)- Chip-Löschung (8-Mbit/s)• Suspend / Resume programmieren und löschen• Erweiterte Funktionen zum Schutz von Hard- und Softwaredaten- Individueller Sektorenschutz- Individuelle Sektorsperre, um jeden Sektor dauerhaft schreibgeschützt zu machen.• 128-Byte-OTP-Sicherheitsregister (One-Time Programmable)- 64 Bytes werkseitig mit einer eindeutigen Kennung programmiert- 64 Byte benutzerdefiniert programmierbar• Hardware- und softwaregesteuerte Reset-Optionen• JEDEC Standard Hersteller und Geräte-ID • Geringe Verlustleistung- 400nA Ultra-Deep Power-Down Strom (typisch)- 4,5µA Deep Power-Down Strom (typisch)- 25µA Standby-Strom (typisch)- 11mA Aktiv Lesestrom (typisch)• Lebensdauer: 100.000 Programm-/Löschzyklen pro Seite • Vorratsdatenspeicherung: 20 Jahre• Entspricht den gesamten industriellen Temperaturbereich• Grüne (Pb/Halide-Free/RoHS-konform) Gehäusebauform- 8-pol-SOIC (0.150'' und 0.208'' breit)
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    AT45DB641E-SHN - NOR-Flash-Speicher 64Mb, 2,3V, Seriell, SPI, 85MHz, SOL-8
    Flash-Speicher, Serial-NOR, 64 Mbit, SPI, SOL-8 0.208'', 85Mhz, 32K Seiten x 264 Byte Merkmale:• Versorgungsspannung 1,7V - 3,6V • Serielle Peripherieschnittstelle (SPI) kompatibel- Unterstützt die SPI-Modi 0 und 3- Unterstützt den Betrieb von RapidS™• Kontinuierliche Lesefähigkeit über das gesamte Array hinweg- Bis zu 85MHz- Low-Power-Leseoption bis zu 15MHz- Clock-to-Output-Zeit (tV) von maximal 6ns• Benutzerdefinierbare Seitengröße- 256 Bytes pro Seite- 264 Bytes pro Seite (Standard)- Die Seitengröße kann werkseitig für 256 Byte vorkonfiguriert werden.• 2 unabhängige SRAM-Datenpuffer (256/264 Bytes)- Ermöglicht den Empfang von Daten während der Neuprogrammierung der Hauptspeicheranordnung• Flexible Programmiermöglichkeiten- Byte/Seitenprogramm (1 bis 256/264 Bytes) direkt in den Hauptspeicher- Puffer-Schreiben- Pufferung zum Hauptspeicherseitenprogramm• Flexible Löschoptionen- Seitenlöschung (256/264 Bytes)- Block löschen (2KB)- Sektor löschen (256KB)- Chip-Löschung (64-Mbit/s)• Suspend / Resume programmieren und löschen• Erweiterte Funktionen zum Schutz von Hard- und Softwaredaten- Individueller Sektorenschutz- Individuelle Sektorsperre, um jeden Sektor dauerhaft schreibgeschützt zu machen.• 128-Byte-OTP-Sicherheitsregister (One-Time Programmable)- 64 Bytes werkseitig mit einer eindeutigen Kennung programmiert- 64 Byte benutzerdefiniert programmierbar• Hardware- und softwaregesteuerte Reset-Optionen• JEDEC Standard Hersteller und Geräte-ID • Geringe Verlustleistung- 400nA Ultra-Deep Power-Down Strom (typisch)- 5µA Deep Power-Down Strom (typisch)- 25µA Standby-Strom (typisch)- 7mA Aktiv Lesestrom (typisch)• Lebensdauer: 100.000 Programm-/Löschzyklen pro Seite • Vorratsdatenspeicherung: 20 Jahre• Entspricht den gesamten industriellen Temperaturbereich• Grüne (Pb/Halide-Free/RoHS-konform) • Gehäusebauform- 8-pol-SOIC ( 0.208'' breit)
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    Stabilizers for Photographic Silver Halide Emulsions: Progress in Chemistry and Application
    Stabilizers for Photographic Silver Halide Emulsions: Progress in Chemistry and Application ab 117.49 € als pdf eBook: . Aus dem Bereich: eBooks, Fachthemen & Wissenschaft, Wissenschaften allgemein,
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    Stabilizers for Photographic Silver Halide Emulsions: Progress in Chemistry and Application
    Stabilizers for Photographic Silver Halide Emulsions: Progress in Chemistry and Application ab 128.49 € als Taschenbuch: Softcover reprint of the original 1st ed. 2004. Aus dem Bereich: Bücher, Taschenbücher, Naturwissenschaft,
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    Stabilizers for Photographic Silver Halide Emulsions: Progress in Chemistry and Application
    Stabilizers for Photographic Silver Halide Emulsions: Progress in Chemistry and Application ab 160.49 € als gebundene Ausgabe: Progress in Chemistry and Application. Auflage 2004. Aus dem Bereich: Bücher, Wissenschaft, Chemie,
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    AT45DB041E-SHN - NOR-Flash-Speicher 4Mb, 1,65V, Seriell, SPI, 85MHz, SOL-8
    Flash-Speicher, Serial-NOR, 4 Mbit, SPI, SOL-8 0.208'', 70Mhz, 2048 Seiten x 256 Byte Merkmale:• Versorgungsspannung 1,65V - 3,6V • Serielle Peripherieschnittstelle (SPI) kompatibel- Unterstützt die SPI-Modi 0 und 3- Unterstützt den Betrieb von RapidS™• Kontinuierliche Lesefähigkeit über das gesamte Array hinweg- Bis zu 85MHz- Low-Power-Leseoption bis zu 15MHz- Clock-to-Output-Zeit (tV) von maximal 6ns• Benutzerdefinierbare Seitengröße- 256 Bytes pro Seite- 264 Bytes pro Seite (Standard)- Die Seitengröße kann werkseitig für 256 Byte vorkonfiguriert werden.• 2 unabhängige SRAM-Datenpuffer (256/264 Bytes)- Ermöglicht den Empfang von Daten während der Neuprogrammierung der Hauptspeicheranordnung• Flexible Programmiermöglichkeiten- Byte/Seitenprogramm (1 bis 256/264 Bytes) direkt in den Hauptspeicher- Puffer-Schreiben- Pufferung zum Hauptspeicherseitenprogramm• Flexible Löschoptionen- Seitenlöschung (256/264 Bytes)- Block löschen (2KB)- Sektor löschen (64KB)- Chip-Löschung (4-Mbit/s)• Suspend / Resume programmieren und löschen• Erweiterte Funktionen zum Schutz von Hard- und Softwaredaten- Individueller Sektorenschutz- Individuelle Sektorsperre, um jeden Sektor dauerhaft schreibgeschützt zu machen.• 128-Byte-OTP-Sicherheitsregister (One-Time Programmable)- 64 Bytes werkseitig mit einer eindeutigen Kennung programmiert- 64 Byte benutzerdefiniert programmierbar• Hardware- und softwaregesteuerte Reset-Optionen• JEDEC Standard Hersteller und Geräte-ID • Geringe Verlustleistung- 400nA Ultra-Deep Power-Down Strom (typisch)- 3µA Deep Power-Down Strom (typisch)- 25µA Standby-Strom (typisch)- 7mA Aktiv Lesestrom (typisch)• Lebensdauer: 100.000 Programm-/Löschzyklen pro Seite • Vorratsdatenspeicherung: 20 Jahre• Entspricht den gesamten industriellen Temperaturbereich• Grüne (Pb/Halide-Free/RoHS-konform) Gehäusebauform- 8-pol-SOIC (0.150'' und 0.208'' breit)- 8-pol ultradünnes DFN (5 x 6 x 0,6 mm)
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    Perovskite Based Hybrid Halide Solar Cells for Green Energy Solutions
    Perovskite Based Hybrid Halide Solar Cells for Green Energy Solutions ab 39.99 € als Taschenbuch: PSCs are promised to be fabricated at low cost easy fabricating procedure and relative high efficiencies. Aus dem Bereich: Bücher, Wissenschaft, Technik,
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    AT27C512R-45PU - OTP-EPROM, 512 Kb (64-Kbit x 8) , 45 ns , 5 V, PDIP-28
    Atmel AT27C512R512K (64K x 8) Einmalig programmierbarer, schreibgeschützter SpeicherBeschreibungDer Atmel® AT27C512R ist ein 524.288-Bit-OTP-EPROM (One-Time-Programmable-Only-Read-Only-Speicher) mit niedrigem Stromverbrauch und hoher Leistung, der als 64K mal 8 Bit organisiert ist. Er benötigt im normalen Lesebetrieb nur eine 5V-Stromversorgung. Auf jedes Byte kann in weniger als 45ns zugegriffen werden, wodurch die Notwendigkeit für geschwindigkeitsreduzierende WAIT-Zustände bei Hochleistungs-Mikroprozessorsystemen entfällt. Die Atmel-skalierte CMOS-Technologie bietet hohe Geschwindigkeit, geringeren aktiven Stromverbrauch und eine deutlich schnellere Programmierung. Der Stromverbrauch beträgt typischerweise nur 8 mA im aktiven Modus und weniger als 10µA im Standby-Modus. Der AT27C512R ist in einer Auswahl von JEDEC-zugelassenen PDIP- und PLCC-Gehäusen erhältlich, die dem Industriestandard entsprechen und einmal programmierbar (OTP) sind. Alle Bausteine verfügen über eine Zweileitungssteuerung (CE, OE), um Entwicklern die Flexibilität zu geben, Buskonflikte zu vermeiden. Mit einer Speicherkapazität von 64K Byte ermöglicht der AT27C512R die zuverlässige Speicherung von Firmware und den Zugriff des Systems ohne die Verzögerungen von Massenspeichermedien. Der AT27C512R verfügt über zusätzliche Funktionen, um eine hohe Qualität und einen effizienten Produktionseinsatz zu gewährleisten. Der schnelle Programmieralgorithmus reduziert die zur Programmierung des Bauteils erforderliche Zeit und garantiert eine zuverlässige Programmierung. Die Programmierzeit beträgt typischerweise nur 100µs/Byte. Der integrierte Produktidentifikationscode identifiziert das Bauteil und den Hersteller elektronisch. Dieses Merkmal wird von Industriestandard-Programmiergeräten verwendet, um die richtigen Programmieralgorithmen und -spannungen auszuwählen.Merkmale• Schnelle Lesezugriffszeit - 70/45ns• CMOS-Betrieb mit niedrigem Stromverbrauch- 100µA max Standby- 20mA max. aktiv bei 5MHz• JEDEC-Standard-Gehäuse- PDIP mit 28 Pin- 32-Pin-PLCC• 5V ± 10% Versorgung• Hochzuverlässige CMOS-Technologie- 2.000V ESD-Schutz- 200mA-Latchup-Immunität• Algorithmus zur schnellen Programmierung - 100µs/byte (typisch)• CMOS- und TTL-kompatible Ein- und Ausgänge• Integrierter Produktidentifikationscode• Industrie- und Automobiltemperaturbereiche• Grüne (Pb/halide-freie) Verpackungsoption
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