96 Results for : pspice

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    Benslama:Electronic circuits simulation
    Erscheinungsdatum: 02.05.2016, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Electronic circuits simulation with Pspice and Orcad capture Solved ex, Autor: Benslama, Malek // Mokhtari, Hatem, Verlag: LAP Lambert Academic Publishing, Sprache: Englisch, Rubrik: Programmiersprachen, Seiten: 172, Informationen: Paperback, Gewicht: 274 gr, Verkäufer: averdo
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    Sinha,A.:Signals and System Analysis
    Erscheinungsdatum: 12/2010, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Signals and System Analysis with matlab and pspice, Titelzusatz: Signal Analysis, Autor: Sinha, Amritasu // Bosco Mugiraneza, Jean, Verlag: LAP Lambert Acad. Publ., Sprache: Englisch, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 208, Informationen: Paperback, Gewicht: 326 gr, Verkäufer: averdo
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    Yuri Soares de Lima Cavalcanti:Proposta
    Erscheinungsdatum: 10.10.2015, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Proposta de tomografia capacitiva aplicada ao estudo de energia solar, Titelzusatz: Utilizando simulação eletrônica pspice, Autor: Yuri Soares de Lima Cavalcanti, Vladyr, Verlag: Novas Edições Acadêmicas, Sprache: Portugiesisch, Rubrik: Maschinenbau // Fertigungstechnik, Seiten: 144, Informationen: Paperback, Gewicht: 231 gr, Verkäufer: averdo
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    Gupta:DC Drive Control System Design wi
    Erscheinungsdatum: 08/2012, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: DC Drive Control System Design with Power Factor Correction, Titelzusatz: A Conventional and Fuzzy Based Approach- Simulation (MATLAB + Pspice), Autor: Gupta, Rohit // Lamba, Ruchika, Verlag: LAP Lambert Academic Publishing, Sprache: Englisch, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 112, Informationen: Paperback, Gewicht: 183 gr, Verkäufer: averdo
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    IGW15N120H3 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 30A, 217W, TO-247-3
    IGW15N120H31200V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und Vorteile:• TRENCHSTOP™ Technologieangebot• sehr niedrige Abschaltenergie• niedriger VCEsat• niedrige EMI• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert- Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform- Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Umrichter mit hoher Schaltfrequenz
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    IGW40N60H3 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 600 V, 80 A, 306W, TO-247-3
    IGW40N60H3600V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und Vorteile:• TRENCHSTOP™ Technologieangebot• sehr niedriger VCEsat• niedrige EMI• Sehr weiche, schnell wiederherstellende Anti-Parallel-Diode• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Umrichter mit hoher Schaltfrequenz
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    IGP06N60T - IGBT-Transistor, N-Kanal, 600 V, 12 A, 88 W, TO-220
    IGP06N60T600V Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und Vorteile:• Sehr niedrige VCE(sat) 1,5V (typ.)• Maximale Sperrschichttemperatur 175°C• Kurzschlussfestigkeit 5s• TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie für 600V-Anwendungen bietet :- sehr enge Parameterverteilung- hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten• Niedrige EMI• Qualifiziert nach JEDEC für Zielanwendungen• Pb-freie Verbleiung; RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Applikationen:• Drehzahlvariabler Antrieb für Waschmaschinen und Klimaanlagen• Buck-Konverter
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    IKW15N120H3 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 30A, 217W, TO-247
    IKW15N120H31200V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie mit weicher und schnell wiederherstellender Anti-Parallel-DiodeMerkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-Technologieangebot TRENCHSTOP™• sehr niedriger VCEsat• niedrige EMI• Sehr weiche, schnell wiederherstellende Anti-Parallel-Diode• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Umrichter mit hoher Schaltfrequenz
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    IKW40N120H3 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 1200 V, 80 A, 483 W, TO-247
    IKW40N120H31200V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie mit weicher und schnell wiederherstellender Anti-Parallel-DiodeMerkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-Technologieangebot TRENCHSTOP™• sehr niedriger VCEsat• niedrige EMI• Sehr weiche, schnell wiederherstellende Anti-Parallel-Diode• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Umrichter mit hoher Schaltfrequenz
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    IGW50N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 80A, 305W, TO-247-3
    IGW50N65F5650V Hochgeschwindigkeits-FAST IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:- Hochgeschwindigkeits-F5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• Ideal geeignet mit SIC-Schottky-Diode in Aufwärtswandlern• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solar-Umrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich
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