11 Results for : vdss
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SPW 32N50 C3 - MOSFET, N-Kanal, 560 V, 32 A, RDS(on) 0,11 Ohm, TO-247
Bauform: TO-247Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Vgs: 3,9 VTemperaturbereich: -40 ... +150 °CLeistung: 284 WRDS: 110 mOhmTyp: N-Kanal- Shop: reichelt elektronik
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IXFH 50N30Q3 - MOSFET, N-CH, 300V, 50A, 690W, 0,08R, TO-247
Bauform: TO-247Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Current - Continuous Drain: 50A (Tc) Vgs: +-30 VTemperaturbereich: -55 ... +150 °CLeistung: 690 WRDS: 0,08 OhmTyp: N-Kanal- Shop: reichelt elektronik
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SPP 20N60 S5 - Cool MOS MOSFET 600V, 20A, 0,19R, TO-220
Bauform: TO-220Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Current - Continuous Drain: 20A (Tc) Vgs: +-30 VTemperaturbereich: -40 ... +150 °CLeistung: 208 WRDS: 0,19 OhmTyp: N-Kanal- Shop: reichelt elektronik
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STP16N65M5 - MOSFET N-Kanal, 650 V, 12 A, Rds(on) 0,299 Ohm, TO220
N-channel 650 V, 0.270 O, 12 A MDmesh™ V Power MOSFETFeaturesDPAK worldwide best RDS(on)Higher VDSS ratingHigh dv/dt capabilityExcellent switching performanceEasy to drive100% Avalanche testedApplicationSwitching applications- Shop: reichelt elektronik
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STP18N65M5 - MOSFET N-Kanal, 650 V, 15 A, Rds(on) 0,22 Ohm, TO220
N-channel 650 V, 0.198 O typ., 15 A MDmesh™ V Power MOSFETFeaturesWorldwide best RDS(on) * areaHigher VDSS rating and high dv/dt capabilityExcellent switching performance100% avalanche testedApplicationsSwitching applications- Shop: reichelt elektronik
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STW42N65M5 - MOSFET N-Ch 650V 33A 190W 0,079R TO247
N-channel 650 V, 0.070 O, 33 A MDmesh™ V Power MOSFETFeaturesTO-220 worldwide best RDS(on)Higher VDSS ratingHigh dv/dt capabilityExcellent switching performanceEasy to drive100% avalanche testedApplicationSwitching applications- Shop: reichelt elektronik
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STP42N65M5 - MOSFET N-Ch 650V 33A 190W 0,079R TO220
N-channel 650 V, 0.070 O, 33 A MDmesh™ V Power MOSFETFeaturesTO-220 worldwide best RDS(on)Higher VDSS ratingHigh dv/dt capabilityExcellent switching performanceEasy to drive100% avalanche testedApplicationSwitching applications- Shop: reichelt elektronik
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STE88N65M5 - MOSFET N-Ch 650V 88A 494W 0,029R SOT227B
N-channel 650 V, 0.024 O typ., 88 A, MDmesh™ VPower MOSFET in a ISOTOP™ packageFeatures• Very low RDS(on)• Higher VDSS rating• Higher dv/dt capability• Excellent switching performance• 100% avalanche testedApplications• Switching applications- Shop: reichelt elektronik
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LSIC1MO120E0080 - SIC MOSFET N-Channel 1200V 25A 0,8 Ohm, TO-247-3L
FeaturesOptimized for highfrequency,high-efficiency applicationsExtremely low gate charge and output capacitanceLow gate resistance for high-frequency switchingNormally-off operation at all temperaturesUltra-low on-resistanceBauform: TO-247-3LDrain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Current - Continuous Drain: 25A (Tc) Vgs: -5 to 20 VTemperaturbereich: -55 ... +150 °CLeistung: 179 WRDS: 0,80 OhmTyp: N-Kanal- Shop: reichelt elektronik
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STW34N65M5 - MOSFET N-Kanal, 650 V, 28 A, RDS(on) 0,11 R, TO247
N-Kanal 650 V, 0,09 O typ., 28 A MDmesh™ V Power MOSFETsBeschreibung:Bei diesen Bausteinen handelt es sich um N-Kanal MDmesh™ V Power MOSFETs, die auf einer innovativen proprietären vertikalen Prozesstechnologie basieren, die mit der bekannten PowerMESH™ Horizontal-Layout-Struktur von STMicroelectronics kombiniert wird. Das resultierende Produkt hat einen extrem niedrigen On-Widerstand, der unter den siliziumbasierten Power-MOSFETs unübertroffen ist, und eignet sich daher besonders für Anwendungen, die eine hohe Leistungsdichte und einen hervorragenden Wirkungsgrad erfordern.Merkmale• Weltweit bester RDS(on)*-Bereich• Höhere VDSS-Bewertung und hohe dv/dt-Fähigkeit• Exzellentes Schaltverhalten• 100% Avalanche-getestetAnwendungen• Schaltende Anwendungen- Shop: reichelt elektronik
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